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Technische Details DMT10H009SSS-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote DMT10H009SSS-13 nach Preis ab 0.67 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| DMT10H009SSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V |
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| DMT10H009SSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT10H009SSS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| DMT10H009SSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V |
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