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DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex

dmt10h010lk3.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (25-Jun-2020), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H010LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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5000+1.08 EUR
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DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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138+1.25 EUR
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121+1.43 EUR
138+1.21 EUR
139+1.15 EUR
161+0.95 EUR
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10+1.15 EUR
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2500+0.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 DIODES INC. 2211392.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
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100+3 EUR
116+1.86 EUR
500+1.51 EUR
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DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H010LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
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6+4.08 EUR
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DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 DIODES INC. 2211392.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68.8A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
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Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
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Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 3W
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
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500+1.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
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Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
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78+3 EUR
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