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DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13 Diodes Zetex

692977993386747dmt10h010lss.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 245000 Stücke:
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Technische Details DMT10H010LSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H010LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004259679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
120+1.78 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H010LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
10+2.26 EUR
100+1.71 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H010LSS-3214395.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
auf Bestellung 4432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.34 EUR
100+1.69 EUR
500+1.38 EUR
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DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004259679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2070 Stücke:
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67+3.75 EUR
88+2.64 EUR
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500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
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DMT10H010LSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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DMT10H010LSS-13 DIOD-S-A0004259679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.64 EUR
120+1.78 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMT10H010LSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.26 EUR
100+1.71 EUR
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MOSFETs MOSFET BVDSS
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10+2.34 EUR
100+1.69 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.14 EUR
5000+1.09 EUR
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DMT10H010LSS-13 DIOD-S-A0004259679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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67+3.75 EUR
88+2.64 EUR
120+1.78 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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