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DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13 Diodes Zetex

dmt10h010sps.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMT10H010SPS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMT10H010SPS-13 nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H010SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.73 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145048_1-2542385.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
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10+1.62 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H010SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
auf Bestellung 6674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.71 EUR
11+1.72 EUR
100+1.15 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : Diodes Inc 124dmt10h010sps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h010sps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT10H010SPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT10H010SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.6A; Idm: 250A; 1.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 8.6A
Gate charge: 56.4nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
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