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DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13 Diodes Zetex

dmt10h010sps.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMT10H010SPS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H010SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.80 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145048_1-2542385.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 1924 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.67 EUR
100+1.25 EUR
500+1.00 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H010SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
auf Bestellung 6794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.43 EUR
10+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2350 Stücke:
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : Diodes Inc 124dmt10h010sps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT10H010SPS-13 DMT10H010SPS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h010sps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT10H010SPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT10H010SPS.pdf DMT10H010SPS-13 SMD N channel transistors
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