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DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated

DMT10H015LCG.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Technische Details DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: VDFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005737156_1-2542638.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
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DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H015LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
auf Bestellung 3536 Stücke:
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9+2.11 EUR
13+1.41 EUR
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DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005737156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005737156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h015lcg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
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DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h015lcg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
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DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Hersteller : Diodes Inc dmt10h015lcg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
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DMT10H015LCG-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT10H015LCG.pdf DMT10H015LCG-7 SMD N channel transistors
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