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DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13 Diodes Incorporated

DMT10H015LK3.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.72 EUR
5000+0.71 EUR
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Technische Details DMT10H015LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote DMT10H015LK3-13 nach Preis ab 0.66 EUR bis 1.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H015LK3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
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5000+0.66 EUR
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DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H015LK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
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DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005737080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005737080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h015lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h015lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Hersteller : Diodes Inc dmt10h015lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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