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DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13 Diodes Zetex


dmt10h015lss.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMT10H015LSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H015LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833477_1-2542087.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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Mindestbestellmenge: 2
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H015LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
auf Bestellung 58894 Stücke:
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Anzahl Preis
7+2.62 EUR
11+1.65 EUR
100+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Hersteller : Diodes Inc 168881399554136dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
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DMT10H015LSS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT10H015LSS.pdf DMT10H015LSS-13 SMD N channel transistors
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