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DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13 Diodes Zetex

dmt10h015lss.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMT10H015LSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H015LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833477_1-2542087.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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2+2.18 EUR
10+1.52 EUR
100+1.18 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.92 EUR
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2370 Stücke:
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115+2.19 EUR
141+1.65 EUR
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H015LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1895 Stücke:
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223+0.75 EUR
226+0.71 EUR
230+0.68 EUR
250+0.64 EUR
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DMT10H015LSS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
auf Bestellung 2305 Stücke:
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500+1.02 EUR
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DMT10H015LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT10H015LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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1000+1.11 EUR
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Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 58894 Stücke:
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7+3.12 EUR
11+1.96 EUR
100+1.29 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
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