
DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.97 EUR |
10+ | 2.27 EUR |
100+ | 1.60 EUR |
500+ | 1.31 EUR |
1000+ | 1.21 EUR |
2500+ | 1.08 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 78W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 78W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMT10H017LPD-13 nach Preis ab 1.17 EUR bis 3.64 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMT10H017LPD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
DMT10H017LPD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 78W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 78W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
DMT10H017LPD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 78W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 78W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
DMT10H017LPD-13 | Hersteller : Diodes Inc |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
![]() |
DMT10H017LPD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
DMT10H017LPD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
![]() |
DMT10H017LPD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |