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DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0009691227_1-2543275.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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Technische Details DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 78W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 78W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT10H017LPD-13 DMT10H017LPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H017LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMT10H017LPD-13 DMT10H017LPD-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT10H017LPD-13 DMT10H017LPD-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT10H017LPD-13 DMT10H017LPD-13 Hersteller : Diodes Inc dmt10h017lpd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 54.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT10H017LPD-13 DMT10H017LPD-13 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h017lpd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 54.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT10H017LPD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT10H017LPD.pdf DMT10H017LPD-13 SMD N channel transistors
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DMT10H017LPD-13 DMT10H017LPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H017LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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