DMT10H025SK3-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17500 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details DMT10H025SK3-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 41.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMT10H025SK3-13 nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DMT10H025SK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT10H025SK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K |
auf Bestellung 5701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT10H025SK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 41.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT10H025SK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 41.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT10H025SK3-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 41.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT10H025SK3-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 41.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT10H025SK3-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32.9A; Idm: 160A; 2.5W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 30mΩ Drain current: 32.9A Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21.4nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| DMT10H025SK3-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32.9A; Idm: 160A; 2.5W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 30mΩ Drain current: 32.9A Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21.4nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A |
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