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DMT10H032LFDF-7

DMT10H032LFDF-7 Diodes Incorporated

DMT10H032LFDF.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
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Technische Details DMT10H032LFDF-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMT10H032LFDF-7 nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT10H032LFDF-7 DMT10H032LFDF-7 DIODES INC. DMT10H032LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1151 Stücke:
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105+2.39 EUR
162+1.44 EUR
180+1.19 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.61 EUR
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DMT10H032LFDF-7 DMT10H032LFDF-7 DIODES INC. DMT10H032LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT10H032LFDF-7 Diodes Zetex dmt10h032lfdf.pdf 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMT10H032LFDF-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0010061915_1-2543305.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
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10+1.25 EUR
100+1 EUR
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1000+0.83 EUR
3000+0.51 EUR
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DMT10H032LFDF-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT10H032LFDF-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Hersteller: Diodes Zetex
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.44 EUR
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DMT10H032LFDF-7 DIOD_S_A0010061915_1-2543305.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 4260 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+1.74 EUR
10+1.25 EUR
100+1 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.51 EUR
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