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DMT10H032LFVW-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
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Technische Details DMT10H032LFVW-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Weitere Produktangebote DMT10H032LFVW-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMT10H032LFVW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 1996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT10H032LFVW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 1996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H032LFVW-7 | Hersteller : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT10H032LFVW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 68A; 2.5W Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 50mΩ Drain current: 13A Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11.9nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 68A Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT10H032LFVW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT10H032LFVW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 68A; 2.5W Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 50mΩ Drain current: 13A Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11.9nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 68A |
Produkt ist nicht verfügbar |