DMT10H072LFV-7 Diodes Zetex
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2000+ | 0.25 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMT10H072LFV-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMT10H072LFV-7 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT10H072LFV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H072LFV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V |
auf Bestellung 290000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H072LFV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 182000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H072LFV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V |
auf Bestellung 290289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H072LFV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V |
auf Bestellung 7438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H072LFV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
DMT10H072LFV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| DMT10H072LFV-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| DMT10H072LFV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; Idm: 80A; 2W Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.7A On-state resistance: 109mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| DMT10H072LFV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; Idm: 80A; 2W Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.7A On-state resistance: 109mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: PowerDI3333-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |