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DMT12H007LPS-13

DMT12H007LPS-13 Diodes Incorporated

DMT12H007LPS.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
auf Bestellung 117500 Stücke:
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2500+1.08 EUR
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Technische Details DMT12H007LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 0.006 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.9W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT12H007LPS-13 DMT12H007LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated diod_s_a0009189335_1-2265525.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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DMT12H007LPS-13 DMT12H007LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT12H007LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
auf Bestellung 120174 Stücke:
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Anzahl Preis
6+2.94 EUR
10+2.22 EUR
100+1.65 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.13 EUR
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DMT12H007LPS-13 DMT12H007LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009189335-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 0.006 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3812 Stücke:
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DMT12H007LPS-13 DMT12H007LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009189335-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 0.006 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3812 Stücke:
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DMT12H007LPS-13 DMT12H007LPS-13 Hersteller : Diodes Inc dmt12h007lps.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 90A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT12H007LPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT12H007LPS.pdf DMT12H007LPS-13 SMD N channel transistors
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