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DMT12H065LFDF-13

DMT12H065LFDF-13 DIODES INC.


3199771.pdf Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9302 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DMT12H065LFDF-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 115V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT12H065LFDF-13 DMT12H065LFDF-13 Hersteller : DIODES INC. 3199771.pdf Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
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DMT12H065LFDF-13 Hersteller : Diodes Inc DMT12H065LFDF.pdf MOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 10K
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DMT12H065LFDF-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT12H065LFDF.pdf Description: MOSFET 61V~100V U-DFN2020-6
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