
DMT12H065LFDF-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DMT12H065LFDF-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 115V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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DMT12H065LFDF-13 | Hersteller : DIODES INC. |
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DMT12H065LFDF-13 | Hersteller : Diodes Inc |
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DMT12H065LFDF-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
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DMT12H065LFDF-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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