DMT3006LFDFQ-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 800mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: UDFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm.