DMT3006LFDFQ-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 143+ | 1.76 EUR |
| 232+ | 1 EUR |
| 351+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
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Technische Details DMT3006LFDFQ-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 800mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: UDFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMT3006LFDFQ-7 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMT3006LFDFQ-7 | DIODES INC. |
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auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT3006LFDFQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT3006LFDFQ-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 143+ | 1.76 EUR |
| 232+ | 1 EUR |
| 351+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| DMT3006LFDFQ-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.33 EUR |
| 10+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |

