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DMT3006LPB-13

DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0006645049_1-2542720.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
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Technische Details DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 9/11A, On-state resistance: 14mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 12.6nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80...100A, Mounting: SMD, Case: PowerDI5060-8, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT3006LPB-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT3006LPB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type S)
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DMT3006LPB-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT3006LPB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9/11A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80...100A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMT3006LPB-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT3006LPB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9/11A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhancement
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