DMT3009UDT-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0086 ohm
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1489 Stücke:
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Technische Details DMT3009UDT-7 DIODES INC.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMT3009UDT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0086 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT3009UDT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta), 16W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type KS) Part Status: Active |
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| DMT3009UDT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K |
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