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DMT3020LDV-7

DMT3020LDV-7 Diodes Zetex


dmt3020ldv.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMT3020LDV-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT3020LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
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DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT3020LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
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500+0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 15
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DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005045036_1-2542611.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.30 EUR
10+0.81 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.31 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005045036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005045036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Hersteller : Diodes Zetex dmt3020ldv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT3020LDV-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT3020LDV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMT3020LDV-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT3020LDV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
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