DMT3020LFDBQ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details DMT3020LFDBQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMT3020LFDBQ-13 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.2 EUR
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DMT3020LFDBQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT3020LFDBQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K |
auf Bestellung 9999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT3020LFDBQ-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMT3020LFDBQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT3020LFDBQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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DMT3020LFDBQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| DMT3020LFDBQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 |
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