DMT3020LFDBQ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 144+ | 1.74 EUR |
| 225+ | 1.04 EUR |
| 231+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 5000+ | 0.75 EUR |
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Technische Details DMT3020LFDBQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMT3020LFDBQ-13 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DMT3020LFDBQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT3020LFDBQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT3020LFDBQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 144+ | 1.74 EUR |
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| DMT3020LFDBQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.8 EUR |
| 10+ | 1.2 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 10000+ | 0.39 EUR |
| 20000+ | 0.32 EUR |