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DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7 Diodes Incorporated

DMT32M5LFG.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.75 EUR
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Technische Details DMT32M5LFG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMT32M5LFG-7 nach Preis ab 0.66 EUR bis 2.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT32M5LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
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12+1.49 EUR
100+1.16 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.8 EUR
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DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT32M5LFG.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+2.57 EUR
10+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.67 EUR
4000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 Hersteller : DIODES INC. DMT32M5LFG.pdf Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 Hersteller : DIODES INC. DMT32M5LFG.pdf Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
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Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMT32M5LFG-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT32M5LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67.7nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
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