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DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13 Diodes Incorporated


DMT34M1LPS.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 317500 Stücke:

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Technische Details DMT34M1LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

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DMT34M1LPS-13 DMT34M1LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT34M1LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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DMT34M1LPS-13 DMT34M1LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003383570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2380 Stücke:
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DMT34M1LPS-13 DMT34M1LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003383570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMT34M1LPS-13 DMT34M1LPS-13 Hersteller : Diodes Inc dmt34m1lps.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT34M1LPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA8331D439F8BF&compId=DMT34M1LPS.pdf?ci_sign=59292c604667da06e166da2517538aaadd001ef7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 1.3W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI®5060-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMT34M1LPS-13 DMT34M1LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003383570_1-2542237.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
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DMT34M1LPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA8331D439F8BF&compId=DMT34M1LPS.pdf?ci_sign=59292c604667da06e166da2517538aaadd001ef7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 1.3W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI®5060-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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