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DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0003383570_1-2542237.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
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Technische Details DMT34M1LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT34M1LPS-13 DMT34M1LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003383570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMT34M1LPS-13 DMT34M1LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003383570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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DMT34M1LPS-13 DMT34M1LPS-13 Hersteller : Diodes Inc dmt34m1lps.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DMT34M1LPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT34M1LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 1.3W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5060-8
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMT34M1LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT34M1LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
DMT34M1LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT34M1LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
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DMT34M1LPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT34M1LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 1.3W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5060-8
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
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