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Technische Details DMT35M4LFDF-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 4900 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 860mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm.
Weitere Produktangebote DMT35M4LFDF-7 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMT35M4LFDF-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin UDFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT35M4LFDF-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT35M4LFDF-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K |
auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT35M4LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 4900 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 860mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm |
auf Bestellung 3758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT35M4LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 4900 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 860mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm |
auf Bestellung 3758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT35M4LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin UDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.37 EUR |
| DMT35M4LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.57 EUR |
| 22+ | 0.98 EUR |
| 26+ | 0.82 EUR |
| DMT35M4LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.58 EUR |
| 10+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 3000+ | 0.37 EUR |
| DMT35M4LFDF-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 4900 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 860mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 4900 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 860mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 3758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 137+ | 1.83 EUR |
| 220+ | 1.06 EUR |
| 332+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| DMT35M4LFDF-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 4900 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 860mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 4900 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 860mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 3758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 137+ | 1.83 EUR |
| 220+ | 1.06 EUR |
| 332+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |