DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 0.29 EUR |
| 5000+ | 0.28 EUR |
| 12500+ | 0.26 EUR |
| 25000+ | 0.25 EUR |
| 62500+ | 0.24 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0048 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMT36M1LPS-13 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT36M1LPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V |
auf Bestellung 101764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT36M1LPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V |
auf Bestellung 5003 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT36M1LPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0048 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
DMT36M1LPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0048 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
DMT36M1LPS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
DMT36M1LPS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| DMT36M1LPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| DMT36M1LPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A |
Produkt ist nicht verfügbar |