DMT4003SCT Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 205A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6865 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 7+ | 2.62 EUR |
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Technische Details DMT4003SCT Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT4003SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMT4003SCT nach Preis ab 1.54 EUR bis 3.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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DMT4003SCT | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMT4003SCT | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4003SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT4003SCT | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 205A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMT4003SCT | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 350A; 156W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar On-state resistance: 2.4mΩ Drain current: 164A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 75.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 350A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMT4003SCT | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 350A; 156W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar On-state resistance: 2.4mΩ Drain current: 164A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 75.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 350A |
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