DMT4003SCT

DMT4003SCT Diodes Incorporated


DIOD_S_A0006455636_1-2542643.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Technische Details DMT4003SCT Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT4003SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT4003SCT DMT4003SCT Hersteller : Diodes Incorporated DMT4003SCT.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 205A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6865 pF @ 20 V
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DMT4003SCT DMT4003SCT Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0006455636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4003SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT4003SCT DMT4003SCT Hersteller : Diodes Inc dmt4003sct.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 205A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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DMT4003SCT Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT4003SCT.pdf DMT4003SCT THT N channel transistors
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