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DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13 Diodes Incorporated

DMT4004LPS.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 355000 Stücke:
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Technische Details DMT4004LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Weitere Produktangebote DMT4004LPS-13 nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMT4004LPS-13 DMT4004LPS-13 Diodes Incorporated DMT4004LPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 3404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.43 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.72 EUR
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DMT4004LPS-13 DMT4004LPS-13 Diodes Incorporated DMT4004LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 356008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
13+1.44 EUR
100+1.01 EUR
500+0.82 EUR
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DMT4004LPS-13 DMT4004LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT4004LPS-13 DMT4004LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMT4004LPS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 3404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.09 EUR
10+1.43 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMT4004LPS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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DMT4004LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 138W
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2713 Stücke:
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DMT4004LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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