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Technische Details DMT4011LFG-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 15.6, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DMT4011LFG-7 nach Preis ab 0.25 EUR bis 0.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMT4011LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMT4011LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
auf Bestellung 3064 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT4011LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMT4011LFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15.6 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6 Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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DMT4011LFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 15.6 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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DMT4011LFG-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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| DMT4011LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 8.6A On-state resistance: 17.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Kind of package: reel; tape Gate charge: 15.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 65A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMT4011LFG-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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| DMT4011LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 8.6A On-state resistance: 17.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Kind of package: reel; tape Gate charge: 15.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 65A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 |
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