DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.
Weitere Produktangebote DMT6004LPS-13 nach Preis ab 0.99 EUR bis 2.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMT6004LPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W |
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DMT6004LPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V |
auf Bestellung 239482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT6004LPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT6004LPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT6004LPS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin PowerDI 5060 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT6004LPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 400A; 2.5W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerDI5060-8 Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A On-state resistance: 4.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Gate charge: 78.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| DMT6004LPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 400A; 2.5W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerDI5060-8 Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A On-state resistance: 4.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Gate charge: 78.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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