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DMT6004SCT Diodes Incorporated

Name: DMT6004SCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 6010149-3
Price: 20.05 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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Technische Details DMT6004SCT Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 113W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Weitere Produktangebote DMT6004SCT

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
DMT6004SCT	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT6004SCT	DIODES INCORPORATED	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 113W Gate charge: 95.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT6004SCT	Diodes Zetex	Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT6004SCT

Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

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DMT6004SCT

Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 113W
Gate charge: 95.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT

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DMT6004SCT

Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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