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DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated


DMT6006SPS.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
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Technische Details DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W, Case: PowerDI5060-8, Kind of package: 13 inch reel; tape, Pulsed drain current: 390A, Power dissipation: 2.45W, Gate charge: 27.9nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 13A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.2mΩ, Mounting: SMD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT6006SPS-13 DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated DMT6006SPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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DMT6006SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6006SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 2.45W
Gate charge: 27.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
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Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 2.45W
Gate charge: 27.9nC
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