Technische Details DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W, Case: PowerDI5060-8, Kind of package: 13 inch reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 27.9nC, On-state resistance: 6.2mΩ, Power dissipation: 2.45W, Drain current: 13A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 390A, Drain-source voltage: 60V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET.
Weitere Produktangebote DMT6006SPS-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DMT6006SPS-13 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMT6006SPS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 27.9nC On-state resistance: 6.2mΩ Power dissipation: 2.45W Drain current: 13A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 390A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
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| DMT6006SPS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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| DMT6006SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.45W
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.45W
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
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