Technische Details DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W, Drain current: 13A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: 13 inch reel; tape, Case: PowerDI5060-8, On-state resistance: 6.2mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 390A, Power dissipation: 2.45W, Gate charge: 27.9nC, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote DMT6006SPS-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DMT6006SPS-13 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMT6006SPS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W Drain current: 13A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: PowerDI5060-8 On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 2.45W Gate charge: 27.9nC Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMT6006SPS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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| DMT6006SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 2.45W
Gate charge: 27.9nC
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 2.45W
Gate charge: 27.9nC
Polarisation: unipolar
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