DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated
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|---|---|
| 2+ | 2.16 EUR |
| 10+ | 1.36 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.71 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2500+ | 0.59 EUR |
| 5000+ | 0.56 EUR |
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Technische Details DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W, Case: PowerDI5060-8, Kind of package: 13 inch reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 27.9nC, On-state resistance: 6.2mΩ, Power dissipation: 2.45W, Drain current: 13A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 390A, Drain-source voltage: 60V, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote DMT6006SPS-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DMT6006SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT6006SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 27.9nC On-state resistance: 6.2mΩ Power dissipation: 2.45W Drain current: 13A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 390A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement |
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