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DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13 DIODES INC.

DMT6008LFG.pdf
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.005 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+2.39 EUR
134+1.74 EUR
187+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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Technische Details DMT6008LFG-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.005 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote DMT6008LFG-13 nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT6008LFG-13 DMT6008LFG-13 DIODES INC. DMT6008LFG.pdf Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.005 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT6008LFG-13 DMT6008LFG-13 Diodes Incorporated DMT6008LFG.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.62 EUR
100+1.14 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMT6008LFG-13 DMT6008LFG-13 Diodes Incorporated DMT6008LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2713 pF @ 30 V
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.005 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+2.39 EUR
134+1.74 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.62 EUR
100+1.14 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.74 EUR
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Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2713 pF @ 30 V
auf Bestellung 153 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+2.89 EUR
12+1.81 EUR
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