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DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7 Diodes Zetex

1131dmt6009lfg.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMT6009LFG-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT6009LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.01 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 19.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT6009LFG-7 DMT6009LFG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6009LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.01 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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DMT6009LFG-7 DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated DMT6009LFG.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
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DMT6009LFG-7 DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated DMT6009LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
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7+3.36 EUR
10+2.12 EUR
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50+1.59 EUR
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DMT6009LFG-7 DMT6009LFG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6009LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.01 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 123 Stücke:
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71+3.3 EUR
114+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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DMT6009LFG-7 DIOD-S-A0002833517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6009LFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6009LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.01 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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MOSFETs 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
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Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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DMT6009LFG-7 DIOD-S-A0002833517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6009LFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6009LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.01 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 34A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.47 EUR
71+3.3 EUR
114+1.88 EUR
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