DMT6009LJ3 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6009LJ3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 74.5 A, 0.008 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Technische Details DMT6009LJ3 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6009LJ3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 74.5 A, 0.008 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote DMT6009LJ3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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DMT6009LJ3 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
auf Bestellung 15632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMT6009LJ3 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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auf Bestellung 15632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)