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DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13 Diodes Incorporated

DMT6010LFG.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
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Technische Details DMT6010LFG-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8, Drain current: 25A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: 13 inch reel; tape, Case: PowerDI®3333-8, On-state resistance: 11.5mΩ, Mounting: SMD, Power dissipation: 2.2W, Polarisation: unipolar.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT6010LFG-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMT6010LFG-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
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Polarisation: unipolar
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