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DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13 Diodes Zetex


1135dmt6010lss.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMT6010LSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT6010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT6010LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 1135dmt6010lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 1135dmt6010lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT6010LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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9+2.02 EUR
12+1.59 EUR
100+1.12 EUR
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1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT6010LSS.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A
auf Bestellung 8941 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.15 EUR
10+1.69 EUR
100+1.18 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 1135dmt6010lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 1135dmt6010lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT6010LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT6010LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
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