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Technische Details DMT6012LFDF-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMT6012LFDF-7 nach Preis ab 0.66 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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DMT6012LFDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V |
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DMT6012LFDF-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMT6012LFDF-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT6012LFDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V |
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| DMT6012LFDF-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 13.6nC On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 1.2W Drain current: 7.6A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement |
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