Technische Details DMT6015LSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT6015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.0124 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMT6015LSS-13 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMT6015LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V |
auf Bestellung 192500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT6015LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT6015LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT6015LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
auf Bestellung 5023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT6015LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V |
auf Bestellung 197566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT6015LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.0124 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT6015LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.0124 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT6015LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.9nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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