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DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13 Diodes Zetex


193dmt6016lss.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMT6016LSS-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
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DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT6016LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
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DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
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DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIODS21824_1-2541839.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
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DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT6016LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
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DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Hersteller : Diodes Inc 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
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DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
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DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
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DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT6016LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT6016LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
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Gate charge: 17nC
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