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DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13 Diodes Incorporated

DMT6018LDR.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Technische Details DMT6018LDR-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: V-DFN3030, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT6018LDR-13 DMT6018LDR-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003551352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15483 Stücke:
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DMT6018LDR-13 DMT6018LDR-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003551352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT6018LDR-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT6018LDR.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
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Mindestbestellmenge: 10000
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DMT6018LDR-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT6018LDR.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
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Anzahl Preis
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1000+0.61 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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DMT6018LDR-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT6018LDR.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 50A; 1.2W
Mounting: SMD
Case: V-DFN3030-8
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 9.1A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.9nC
On-state resistance: 26mΩ
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