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DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7 Diodes Incorporated

DMT6018LDR.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Technische Details DMT6018LDR-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VDFN3030, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT6018LDR-7 DMT6018LDR-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003551352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.017 ohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
102+2.28 EUR
164+1.31 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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DMT6018LDR-7 DMT6018LDR-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003551352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.017 ohm
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Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
102+2.28 EUR
164+1.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMT6018LDR-7 Diodes Incorporated DMT6018LDR.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.92 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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DMT6018LDR-7 DIOD-S-A0003551352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6018LDR-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.017 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.8 EUR
102+2.28 EUR
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500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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DMT6018LDR-7 DIOD-S-A0003551352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6018LDR-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 995 Stücke:
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100+3.8 EUR
102+2.28 EUR
164+1.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
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Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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7+3.03 EUR
11+1.92 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH