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DMT68M8LFV-7

DMT68M8LFV-7 Diodes Incorporated

DMT68M8LFV.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V
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Technische Details DMT68M8LFV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V.

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DMT68M8LFV-7 DMT68M8LFV-7 Hersteller : Diodes Incorporated diodes_inc_diod-s-a0007810738-1-1749126.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V
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DMT68M8LFV-7 DMT68M8LFV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT68M8LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V
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DMT68M8LFV-7 DMT68M8LFV-7 Hersteller : Diodes Inc pgurl_dmt68m8lfv-7.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 54.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMT68M8LFV-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT68M8LFV.pdf DMT68M8LFV-7 SMD N channel transistors
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