DMT69M5LFVW-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 2.74W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.77 EUR |
| 162+ | 1.44 EUR |
| 218+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
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Technische Details DMT69M5LFVW-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2.74W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.
Weitere Produktangebote DMT69M5LFVW-7 nach Preis ab 0.75 EUR bis 3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMT69M5LFVW-7 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.74W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm |
auf Bestellung 1154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M5LFVW-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 3 EUR |
| 162+ | 1.44 EUR |
| 208+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |