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DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7 Diodes Incorporated

DMT69M8LFV.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.55 EUR
6000+0.54 EUR
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Technische Details DMT69M8LFV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

Weitere Produktangebote DMT69M8LFV-7 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT69M8LFV-7 DMT69M8LFV-7 Diodes Incorporated DMT69M8LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.46 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DMT69M8LFV-7 DMT69M8LFV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005038932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT69M8LFV-7 DMT69M8LFV-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0005038932_1-2542532.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 9976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DMT69M8LFV-7 DMT69M8LFV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005038932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMT69M8LFV-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.32 EUR
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100+0.93 EUR
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DMT69M8LFV-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
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MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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DMT69M8LFV-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1169 Stücke:
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