DMT8008LFG-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 0.94 EUR |
| 4000+ | 0.88 EUR |
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Technische Details DMT8008LFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0053 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMT8008LFG-7 nach Preis ab 0.9 EUR bis 3.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMT8008LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V |
auf Bestellung 6670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT8008LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V |
auf Bestellung 10980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT8008LFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0053 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT8008LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMT8008LFG-7 SMD N channel transistors |
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