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DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7 Diodes Incorporated

DMT8012LFG.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
auf Bestellung 34000 Stücke:
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Technische Details DMT8012LFG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT8012LFG.pdf MOSFETs 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
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DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMT8012LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
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DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS21582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS21582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 Hersteller : Diodes Inc dmt8012lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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DMT8012LFG-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CA98713DFC98BF&compId=DMT8012LFG.pdf?ci_sign=2f394e548e5183562151e1b893b891c5d29b54aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
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