Produkte > DIODES INCORPORATED > DMT8012LK3-13
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13 Diodes Incorporated


DMT8012LK3.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
auf Bestellung 207500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
7500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMT8012LK3-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMT8012LK3-13 nach Preis ab 0.58 EUR bis 1.60 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMT8012LK3-13 DMT8012LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT8012LK3.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.33 EUR
10+1.18 EUR
100+0.92 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.59 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT8012LK3-13 DMT8012LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT8012LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
auf Bestellung 210863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.60 EUR
13+1.36 EUR
100+0.95 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT8012LK3-13 DMT8012LK3-13 Hersteller : DIODES INC. DMT8012LK3.pdf Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT8012LK3-13 DMT8012LK3-13 Hersteller : DIODES INC. DMT8012LK3.pdf Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT8012LK3-13 DMT8012LK3-13 Hersteller : Diodes Inc dmt8012lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT8012LK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT8012LK3.pdf DMT8012LK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH