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DMTH10H003SPSW-13

DMTH10H003SPSW-13 Diodes Zetex

dmth10h003spsw.pdf Hersteller: Diodes Zetex
100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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Technische Details DMTH10H003SPSW-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0022 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMTH10H003SPSW-13 nach Preis ab 1.10 EUR bis 4.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H003SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth10h003spsw.pdf 100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+2.35 EUR
100+1.69 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.22 EUR
2500+1.16 EUR
5000+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H003SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
auf Bestellung 24650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.86 EUR
10+3.25 EUR
100+2.29 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Hersteller : DIODES INC. 3204165.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0022 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Hersteller : DIODES INC. 3204165.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0022 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMTH10H003SPSW-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H003SPSW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.44 EUR
10+3.06 EUR
100+2.16 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H003SPSW-13 Hersteller : Diodes Inc dmth10h003spsw.pdf MOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H003SPSW-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH10H003SPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 664A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 117A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 664A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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DMTH10H003SPSW-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH10H003SPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 664A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 117A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 664A
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