DMTH10H003SPSW-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details DMTH10H003SPSW-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0022 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMTH10H003SPSW-13 nach Preis ab 1.74 EUR bis 3.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMTH10H003SPSW-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V |
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DMTH10H003SPSW-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0022 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH10H003SPSW-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0022 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH10H003SPSW-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMTH10H003SPSW-13 | Hersteller : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH10H003SPSW-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 664A; 2.6W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 664A Drain-source voltage: 100V Drain current: 117A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| DMTH10H003SPSW-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 664A; 2.6W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 664A Drain-source voltage: 100V Drain current: 117A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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