Technische Details DMTH10H003SPSW-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMTH10H003SPSW-13 nach Preis ab 1.3 EUR bis 7.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Zetex |
 100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH10H003SPSW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
auf Bestellung 1684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH10H003SPSW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH10H003SPSW-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET
100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 1.99 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 2500+ | 1.37 EUR |
| 5000+ | 1.3 EUR |
| DMTH10H003SPSW-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.3 EUR |
| 500+ | 3.05 EUR |
| 1000+ | 2.81 EUR |
| DMTH10H003SPSW-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 1684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.28 EUR |
| 10+ | 3.62 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| 2500+ | 1.95 EUR |
| DMTH10H003SPSW-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.93 EUR |
| 10+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |
| DMTH10H003SPSW-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.32 EUR |
| 54+ | 4.34 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 3.24 EUR |