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DMTH10H010LPS-13

DMTH10H010LPS-13 Diodes Zetex


dmth10h010lps.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMTH10H010LPS-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 98.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W, 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V.

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DMTH10H010LPS-13 DMTH10H010LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145362_1-2542495.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
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DMTH10H010LPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH10H010LPS.pdf DMTH10H010LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH10H010LPS-13 DMTH10H010LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H010LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 98.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W, 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
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