Produkte > DIODES INCORPORATED > DMTH10H015LPS-13
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13 Diodes Incorporated

DMTH10H015LPS.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
7500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMTH10H015LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMTH10H015LPS-13 nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H015LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 54980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.46 EUR
15+1.19 EUR
100+0.92 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011397089_1-2543772.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 4717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.54 EUR
10+1.25 EUR
100+0.91 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DMTH10H015LPS.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DMTH10H015LPS.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH10H015LPS.pdf DMTH10H015LPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH