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Technische Details DMTH10H015LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Weitere Produktangebote DMTH10H015LPS-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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DMTH10H015LPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
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DMTH10H015LPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
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DMTH10H015LPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMTH10H015LPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 120A; 2.8W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 100V Drain current: 8A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| DMTH10H015LPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 120A; 2.8W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 100V Drain current: 8A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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