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DMTH10H017LPD-13

DMTH10H017LPD-13 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0009691049_1-2543332.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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Technische Details DMTH10H017LPD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH10H017LPD-13 DMTH10H017LPD-13 Hersteller : DIODES INC. DMTH10H017LPD.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2133 Stücke:
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DMTH10H017LPD-13 DMTH10H017LPD-13 Hersteller : DIODES INC. DMTH10H017LPD.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH10H017LPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H017LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
auf Bestellung 212500 Stücke:
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Anzahl Preis
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5000+0.93 EUR
12500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMTH10H017LPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H017LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
auf Bestellung 214744 Stücke:
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Anzahl Preis
8+2.34 EUR
10+1.92 EUR
100+1.50 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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DMTH10H017LPD-13 Hersteller : Diodes Inc dmth10h017lpd.pdf 100V 175 Degree C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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DMTH10H017LPD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH10H017LPD.pdf DMTH10H017LPD-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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