DMTH10H017LPD-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMTH10H017LPD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMTH10H017LPD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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DMTH10H017LPD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH10H017LPD-13 | Hersteller : Diodes Inc |
100V 175 Degree C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| DMTH10H017LPD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH10H017LPD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET |
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