DMTH10H2M5STLW-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Technische Details DMTH10H2M5STLW-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 248A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 5.8W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 1012, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm.
Weitere Produktangebote DMTH10H2M5STLW-13 nach Preis ab 4.82 EUR bis 20.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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DMTH10H2M5STLW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH10H2M5STLW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 5.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH10H2M5STLW-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.98 EUR |
| 10+ | 6.71 EUR |
| 100+ | 5.43 EUR |
| 500+ | 4.82 EUR |
| DMTH10H2M5STLW-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.02 EUR |
| 19+ | 12.48 EUR |
| 100+ | 7.41 EUR |