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DMTH10H2M5STLW-13

DMTH10H2M5STLW-13 Diodes Incorporated

DMTH10H2M5STLW.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
auf Bestellung 1497 Stücke:
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Technische Details DMTH10H2M5STLW-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.00168 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 248A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.8W, Bauform - Transistor: PowerDI 1012, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00168ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH10H2M5STLW-13 DMTH10H2M5STLW-13 Hersteller : DIODES INC. 3168554.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.00168 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00168ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMTH10H2M5STLW-13 DMTH10H2M5STLW-13 Hersteller : DIODES INC. 3168554.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.00168 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00168ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH10H2M5STLW-13 DMTH10H2M5STLW-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H2M5STLW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
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